正式导入量产！利亚德首款采用量子点Micro LED芯片显示屏来了

值得注意的是，这是利亚德首款使用量子点Micro LED芯片的显示屏。据利亚德介绍，采用量子点技术能实现红光色转换率的突破，有效降低红光芯片成本，提高产品性价比；该项重大技术突破或将全面提速Micro LED显示技术的商业化进程。

据了解，传统由铝铟镓磷（AlInGaP） 磊晶制成的红光Micro LED受限于缺陷密度大以及取光难等问题，其光效会随着芯片尺寸的微缩而急剧下降。

而Saphlux的NPQD®技术是指基于纳米孔结构（Nanopores）的量子点（Quantum Dot）芯片集成技术，采用氮化镓结合红光量子点进行色彩转换，规避了这一材料限制。且纳米孔结构具有独特的散射效应，能够将有效光径提高8倍，出光面积提高40倍，在5微米的量子点厚度内实现99．99％的光转换效率，并增强量子点可靠性。

此番，由利亚德与Saphlux联合开发并投入量产的NPQD® R1 Micro LED芯片，不仅解决了传统芯片的冷热效应、分Bin难、效率低、良率低和成本高等问题，更通过结合量子点材料色域广、色彩稳定且一致性好的优势，实现更优的显示效果。

对于本次的技术突破，利亚德集团董事长李军认为于行业而言是一项技术上进步。他表示，NPQD® Micro LED芯片技术将大大缩小市场现有Micro LED芯片尺寸，提升屏幕性能，降低量产成本，未来可以应用到利亚德P0．4～P1．8的Micro LED产品中。相信通过应用该项量子点技术，利亚德今后将能够为市场提供更优质、更具性价比的产品，真正让LED显示走进民用、家用市场。

而Saphlux的CEO陈辰博士表示：“感谢利亚德集团一直以来对我们新技术开发的支持和协作，能够让技术迅速量产，走入市场。量子点是目前最优的色彩解决方案，Micro LED是现有最先进的显示技术，两者的成功结合将给包括商用和AR／VR在内的众多显示应用带来变革。”

资料显示，利亚德在2017年投资入股Saphlux，持股12．37％；联合研发量子点、氮化镓相关技术，布局Micro LED显示。

Saphlux作为专注于第三代半导体技术的企业，经过从耶鲁大学实验研发到产业化的十几年积累，现已拥有两项全球领先的第三代半导体技术：半极性氮化镓材料以及Micro LED。除R1芯片外，Saphlux还在AR／VR用T1系列Micro LED显示光引擎技术路线上接连实现了全彩化和红光色转换效率的突破，预计于2023年实现T1系列微显示产品的商业化。截至今年上半年，Saphlux完成了7500万的B轮融资，并将于近期关闭B＋轮，持续加码R1芯片量产和T系列产品研发。

Saphlux的NPQD® R1 Micro LED芯片研发历程

2021年5月，Saphlux在SID展会上展出红光－R系列和RGB－T系列Micro－LED芯片。据介绍，该芯片利用NPQDTM芯片集成技术，可在蓝光Micro LED内制成高散射、光场均匀的纳米孔氮化镓结构层，并区域性注入量子点，在单芯片上实现高效率、高可靠性、单独可控的R－G－B像素。该技术大幅提高了芯片性能，降低了系统制作成本，简化了生产工艺，解决了Micro LED屏幕量产的瓶颈问题，在小间距显示、车载显示、AR／MR等应用中有广泛的市场前景。

2021年10月，Saphlux透露，已量产应用于小间距屏的NPQD® R1和T1系列Micro LED芯片，并且产品已经通过数家行业头部企业的测试、点亮屏幕，进入了交付阶段。